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      公司新聞

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      ITO面電阻

      發布時間:2014-08-20

      ITO膜導電性能采用的指標是方塊電阻,用R表示。

       RITO的體電阻率及ITO膜厚有關。

      如下圖是電流平行經過ITO膜層的情形。圖中,d為膜厚;I為電流;L1為膜層在電流方向上的長度;L2為膜層在垂直電流方向的長度。

      L2

      L1

      I

      d

       

       

       

       


       

       

      當電流流過上圖所示的方形導電膜層時,該層的電阻為: 

       


      R

      =

      d

      ρ

      式中,p為導電膜的體電阻率。對于給定的膜厚層,pd可以認為是不變的定值,當L1=L2時,即為正方形的膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值p/d,這就是方塊電阻的定義,即

      R=ρxxx

      L1

      dL2

       

       


      式中,R單位為:(Ω/)

       方塊電阻通常用四探針測試儀來測定。 

       

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